[发明专利]生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法有效
| 申请号： | 201310250189.5 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103311425A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李宗雨;丘立安;汪晏清 | 申请（专利权）人： | 成都先锋材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;C22C1/02;C22C29/00;B22F3/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及生产热电转换材料的方法，包括如下步骤：（A）将质量分数55%-60%的铋、20%-30%的硒和10%-20%的碲混合，组成原料；（B）对原料进行真空熔炼处理，得到半导体热电转换材料BiSeTe金属化合物。本发明是利用真空熔炼的方法，通过在传统的硒化铋材料中，均匀地掺杂了第VI族元素锑在硒化铋的金属合金里面，形成一种BiSeTe金属化合物，改变了材料的能带间隙，从而提高半导体合金里面的电载体自由“电子”的浓度，极大地提高了材料本身的热-电性能，即所谓的ZT参数，掺杂的元素不会产生偏析，或者晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 热电 转换 材料 方法 装置 溅射 | ||
【主权项】：
一种生产热电转换材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：（A）将质量分数55%‑60%的铋、20%‑30%的硒和10%‑20%的碲混合，组成原料；（B）对原料进行真空熔炼处理，得到半导体热电转换材料BiSeTe金属化合物。
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