[发明专利]一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310250357.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103320753A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;陈雪;康俊勇;高娜;杨旭 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14;B22F9/04 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 密度 可控 纳米 颗粒 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在E‑Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；2）将铝置于E‑Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。
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