[发明专利]用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法有效
| 申请号： | 201310251111.5 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103508410B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·莱茵穆特;J·弗莱;Y·贝格曼 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔（110）的构件（300）的方法。所述方法在此包括以下步骤提供具有前侧（101）和与前侧（101）相对置的背侧（102）的半导体衬底（100），在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生环形地包围接触区域（103）的绝缘沟槽（121），以绝缘材料（122）填充绝缘沟槽（121），通过在接触区域（103）中沉积导电材料在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生电接触结构（130），去除半导体衬底（100）的背侧（102）上的留在接触区域（103）中的半导体材料（104）以便产生暴露接触结构（130）的下侧（134）的接触孔（111），在接触孔（111）中沉积金属材料（114）以便将电接触结构（130）与半导体衬底（100）的背侧（102）电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 电覆镀通孔 构件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的构件(300)的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有前侧(101)和与所述前侧相对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形地包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，在所述绝缘沟槽(121)中施加绝缘材料(122)，通过在所述接触区域(103)中沉积导电材料在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生电接触结构(130)，去除所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上的留在所述接触区域(103)中的半导体材料(104)，以便产生暴露所述接触结构(130)的下侧(134)的接触孔(111)，在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114)，以便将所述电接触结构(130)与所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)电连接，其中，在键合工艺范畴内在所述接触孔(111)中沉积所述金属材料之前将所述电接触结构与功能衬底(210)的互补接触结构(230)连接，在所述键合工艺中将所述半导体衬底(100)与功能衬底(210)连接。
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