[发明专利]加工方法以及加工装置有效
申请号: | 201310251957.9 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103515315B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 能丸圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/08;B23K26/082;B23K26/364;B23K26/40;B23K26/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种加工方法以及加工装置,能够容易地控制进行加工的区域。一种对被加工物实施蚀刻加工的加工装置,一边向收纳了保持在保持工作台的保持面的被加工物的蚀刻室内供给蚀刻气体,一边将聚光点定位到被加工物中的加工区域的内部来从保持工作台的保持面的相反侧照射相对于保持工作台和被加工物具有透射性的波长的激光光线,由此激励加工区域从而引发蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种被加工物的加工方法,其特征在于,包括:保持工序,将被加工物保持在保持工作台的保持面;被加工物收纳工序,将保持在上述保持工作台的被加工物收纳到蚀刻室内;蚀刻气体供给工序,在实施了上述被加工物收纳工序后,向上述蚀刻室内供给蚀刻气体;以及蚀刻引发工序,一边供给上述蚀刻气体,一边将聚光点定位到被加工物中的加工区域的内部,从上述保持工作台的保持面的相反侧照射相对于上述保持工作台以及被加工物具有透射性的波长的激光光线,由此激励上述加工区域从而引发基于蚀刻气体的蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310251957.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造