[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法有效
| 申请号： | 201310251969.1 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104241390B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 许嘉哲;黄家琦;陈韦廷;许民庆 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/77 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,赵根喜 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法。一种薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括源区、漏区、沟道区、与所述沟道区相邻的第一轻掺杂漏极区、与所述第一轻掺杂漏极区相邻的第二轻掺杂漏极区，其中，所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有源 矩阵 有机 发光二极管 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；半导体层，位于所述缓冲层上，所述半导体层包括源区、漏区、沟道区、与所述沟道区相邻的第一轻掺杂漏极区、与所述第一轻掺杂漏极区相邻的第二轻掺杂漏极区；第一栅绝缘层，覆盖所述半导体层；第二栅绝缘层底脚，位于所述第一栅绝缘层上，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；以及栅电极，位于所述第二栅绝缘层底脚上，其中，所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度，且所述第二栅绝缘层底脚的边缘具有一突出部，使得所述边缘的厚度大于所述第二栅绝缘层底脚的其余部分的厚度。
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