[发明专利]铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法无效
| 申请号： | 201310253143.9 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103305924A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 潘家明 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法。该铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法包括退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：步骤S1：使硅锭的顶部降温，且使硅锭的底部的温度保持不变；步骤S2：使硅锭的顶部和硅锭的底部同时降温；步骤S4：将硅锭的热应力释放。根据本发明的方法，在进行退火工艺的过程中，硅锭的温度是不断降低的，不会出现硅锭温度上升的情况，进而防止硅锭温度升高而造成硅锭内部晶体的位错。 | ||
| 搜索关键词： | 铸锭 过程 减少 内部 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法，其特征在于，包括退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：步骤S1：使硅锭的顶部降温，且使所述硅锭的底部的温度保持不变；步骤S2：使所述硅锭的顶部和所述硅锭的底部同时降温；步骤S4：将所述硅锭的热应力释放。
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