[发明专利]硅通孔互连结构及其制作方法

摘要

本申请提供了一种硅通孔互连结构及其制作方法。该制作方法包括制作硅通孔和制作绝缘层的步骤，制作绝缘层的步骤包括在衬底上刻蚀形成环状沟槽，环状沟槽的深宽比为51～201；采用等离子体沉积法将介电材料填充到环状沟槽中，形成具有空气隙的密封部，空气隙的体积为环状沟槽总体积的50%～90%，其中，等离子体的溅射方向与环状沟槽上表面所在平面的夹角为α，且0°＜α＜20°或45°＜α＜90°。本申请增大了等离子体对环状沟槽内壁的溅射产率，同时降低了对环状沟槽开口处的溅射产率，加快了密封部的形成速度，增大了空气隙的体积，使得硅通孔互连结构绝缘层的介电常数减小10%～60%。

主权项

一种硅通孔互连结构的制作方法，包括制作硅通孔和制作绝缘层的步骤，其特征在于，所述制作绝缘层的步骤包括：在衬底上刻蚀形成环状沟槽，所述环状沟槽的深宽比为5:1～20:1；采用等离子体沉积法将介电材料填充到所述环状沟槽中，形成具有空气隙的密封部，所述空气隙的体积为所述环状沟槽总体积的50%～90%，其中，等离子体的溅射方向与所述环状沟槽上表面所在平面形成夹角α，且0°＜α＜20°或45°＜α＜90°。