[发明专利]一种二氧化钛纳米管阵列表面纳米多孔层的去除方法无效

专利信息
申请号: 201310254421.2 申请日: 2013-06-25
公开(公告)号: CN103303972A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 吴晓宏;齐敬;秦伟 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 代理人: 张伟
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种二氧化钛纳米管阵列表面纳米多孔层的去除方法,本发明涉及二氧化钛纳米多孔层的去除方法。本发明提供了一种去除电化学阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列表面覆盖的纳米多孔层的方法。本方法:一、用去离子水、氢氟酸和硝酸配制浸渍液;二、将表面覆盖纳米多孔层的二氧化钛纳米管阵列浸渍在浸渍液中,浸渍后取出,用去离子水冲洗干净,二氧化钛纳米管阵列表面覆盖的纳米多孔层被去除。本发明的方法不仅能有效去除表面的纳米多孔层,同时使得二氧化钛纳米管阵列结构得以保持,使在纳米管内组装其他纳米点、纳米线、纳米棒等纳米材料的操作可以顺利进行。本发明处理后的二氧化钛纳米管阵列可用于水处理领域。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 阵列 表面 多孔 去除 方法
【主权项】:
一种二氧化钛纳米管阵列表面纳米多孔层的去除方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、配制浸渍液:称取去离子水、质量浓度为40%的氢氟酸和质量浓度为65%~68%的硝酸并混合均匀,得到浸渍液;其中质量浓度为40%的氢氟酸与去离子水的体积比为(0.2~1)∶100,质量浓度为40%的氢氟酸与质量浓度为65%~68%的硝酸的体积比为1∶(4~5);二、去膜:将表面覆盖纳米多孔层的二氧化钛纳米管阵列浸渍在步骤一制备的浸渍液中,浸渍2~20min后取出,用去离子水冲洗干净,二氧化钛纳米管阵列表面覆盖的纳米多孔层被去除。
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