[发明专利]一种提高了BVcbo的双极型晶体管及其生产工艺有效
| 申请号： | 201310255243.5 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103296072A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈强;张复才;沈美根;多新中;郑立荣;姚荣伟 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 214131 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高了BVcbo（集电极-基极击穿电压）的双极型晶体管及其生产工艺，通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端硼的结深，而且简化了工艺流程，并且由于结终端离子注入窗口与沟槽边缘无需对准，因此在结终端与沟槽的交界处可以得到较为固定的掺杂硼浓度，以致可以得到稳定的BVcbo，使用该工艺技术方法生产的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo20伏以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 bvcbo 双极型 晶体管 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种提高了BVcbo的双极型晶体管，其特征在于：包括高浓度掺杂的N‑型硅衬底（50），所述N‑型硅衬底（50）的顶部设置有N‑型外延硅（52），所述N‑型外延硅（52）的两侧通过沟槽、氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层（62），所述两个平坦氧化层（62）之间的N‑型外延硅（52）的上表面设有本征基区（66），所述本征基区（66）的两侧设有非本征基区（68），所述两个非本征基区（68）之间还设置有发射区（70）；所述两个平坦氧化层（62）之间通过热过程杂质激活形成的第二冶金结（64）。
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