[发明专利]浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201310255287.8 申请日: 2013-06-25
公开(公告)号: CN104253079A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;蒋骏
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法。一种浅沟槽隔离(STI)结构的制作方法,其特征在于包括步骤:提供半导体衬底;在所述半导体衬底中形成多个第一沟槽,其中所述多个第一沟槽分别包括具有上窄下宽形状的上部分;在所述第一沟槽内填充有氧化物层;在所述氧化物层中形成第二沟槽,其中在第一沟槽的顶部处,所述第二沟槽的横向宽度与第一沟槽的横向宽度相同;在所述第二沟槽中填充氮化物层,以使得在第二沟槽顶部处,所述氮化物层密封所述氧化物层。
搜索关键词: 沟槽 隔离 结构 包含 晶体管 及其 制作方法
【主权项】:
一种浅沟槽隔离(STI)结构的制作方法,其特征在于包括如下步骤:提供半导体衬底;在所述半导体衬底中形成多个第一沟槽,其中所述多个第一沟槽分别包括具有上窄下宽形状的上部分;在所述第一沟槽内填充有氧化物层;在所述氧化物层中形成第二沟槽,其中在第一沟槽的顶部处,所述第二沟槽的横向宽度与第一沟槽的横向宽度相同;在所述第二沟槽中填充氮化物层,以使得在第二沟槽顶部处,所述氮化物层密封所述氧化物层。
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