[发明专利]抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理系统寄生沉积有效
申请号: | 201310256636.8 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103510072B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 夏春光;拉梅什·钱德拉赛卡兰;道格拉斯·凯尔;爱德华·J·奥古斯蒂内克;卡尔·利泽 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/513 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理系统寄生沉积的衬底处理系统,其包括喷头,所述喷头包括底部和杆部并且所述喷头传输前体气体到室。轴环,所述轴环将喷头连接到室的上表面。所述轴环围绕喷头的杆部设置,所述轴环包括多个槽,并且将前体气体引导通过多个槽导入喷头的底部和室的上表面之间的区域。 | ||
搜索关键词: | 抑制 前体流 衬底 区外 等离子体 处理 系统 寄生 沉积 | ||
【主权项】:
一种衬底处理系统,其包括:喷头,所述喷头包括头部和杆部并且所述喷头传输前体气体到室;其中所述头部包括上表面、侧壁、包括多个孔的下部平面表面,以及限定在上述上表面、侧壁、下部平面表面之间的圆柱形腔室,其中所述头部从所述杆部的一端径向向外朝着所述室的侧壁延伸并且限定位于所述头部的上表面和所述室的上表面之间的腔室,其中所述头部的所述圆柱形腔室接收通过所述杆部的处理气体,其中所述圆柱形腔室中的所述处理气体通过所述多个孔流入所述下部平面表面并被散布到所述室;轴环,所述轴环将所述喷头连接到临近所述杆部的另一端的所述室的上表面;其中,所述轴环围绕所述喷头的所述杆部设置,所述轴环包括多个槽,并且将清扫气体引导通过所述多个槽导入所述喷头的头部和所述室的所述上表面之间的腔室;和第一板,所述第一板包括开口,所述开口容纳所述喷头的所述杆部,其中所述第一板被设置为:在(i)所述轴环的所述杆部的下边缘,位于所述多个槽的下方,与(ii)所述喷头的所述头部之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统公司,未经诺发系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310256636.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:行星齿轮机构及其连接方法和用途
- 下一篇:一种液晶型闸间隙的监测终端
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的