[发明专利]集成高压器件的方法

摘要

本发明主要提出了一种多个有源零部件的制备方法，例如双极晶体管、MOSFET、二极管等，在半导体衬底上，使工作电压较高的有源零部件可以与工作电压较低的器件一起形成在一个公共衬底上，并且引入制备工作电压较低的有源零部件的现有成熟的工艺流程。本发明还涉及一种器件的制备方法，通过在现有器件原有的制备过程中增加一些步骤，而不会对器件性能产生很大的影响，所制成的器件的工作电压高于具有相同功能的现有器件。

主权项

一种用于在半导体衬底上制备高压器件和低压器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一个第一导电类型的半导体衬底；在衬底的顶面上，生长一个第一导电类型的外延层，其中外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度相同；在低压器件区和高压器件区中，分别制备一个第二导电类型的轻掺杂阱，其中形成在低压器件区中的第二导电类型的轻掺杂阱，其深度从外延层的顶面开始到外延层厚度的一半，形成在高压器件区中的第二导电类型的轻掺杂阱，其深度从外延层的顶面开始一直延伸到半导体衬底；在高压器件区域中的轻掺杂阱的底部，制备与第一导电类型相反的第二导电类型的深掩埋重掺杂区；并且从轻掺杂阱的顶面开始，制备多个掺杂区，在低压器件区和高压器件区中，分别制备低压器件和高压器件。