[发明专利]全透明导热导电复合基板的制备方法无效
| 申请号： | 201310258609.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103346248A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈益钢;朱涛;张斌;陈银儿;刘震 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全透明导热导电复合基板的制备工艺，属于薄膜制备技术领域。所述的制备方法是：以透明玻璃作为衬底，先通过反应磁控溅射的方法沉积氮化铝薄膜（AlN），接着通过射频磁控溅射的方法在氮化铝薄膜上沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），最后通过光刻和刻蚀工艺对TCO薄膜进行图形化加工。所制备的复合基板制造成本低、工艺简单、不污染环境、无毒，且基板具有高热导率、高光学透过率、厚度均匀、高导电性等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导热 导电 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全透明导热导电复合基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）玻璃衬底的清洗：按照去离子水、乙醇、丙酮、乙醇、去离子水的顺序，对玻璃衬底进行超声清洗，作为基板；2）将基板安装到溅射腔内，通过抽真空，使溅射腔的本底真空度小于1.0×10‑3Pa；3）通过反应磁控溅射的方法在衬底上沉积氮化铝薄膜；4）通过射频磁控溅射的方法在氮化铝薄膜上沉积TCO薄膜； 5）通过光刻和刻蚀工艺对TCO薄膜进行图形化加工，形成电路的引线；制得全透明导热导电复合基板。
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