[发明专利]一种功率半导体芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310259232.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103325838A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体芯片及其制备方法，该功率半导体芯片是由N个元胞单元并联形成的。其中，至少一个所述元胞单元上包括位于元胞单元外围的金属硅化物层，该金属硅化物层至少位于元胞单元的多晶硅层的外围区域的上方，该金属硅化物层功能上可以作为栅电阻，该栅电阻将芯片元胞单元的结构包围起来，实现了栅电阻的元胞级并联，提高了元胞级的开关控制能力，改善了芯片的均流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片，包括N个并联的元胞单元，其特征在于，至少一个所述元胞单元包括，设置有半导体结构的衬底，所述衬底表面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，所述第三子表面为所述衬底表面中心所在的区域，第二子表面包围所述第三子表面，第一子表面包围所述衬底表面第二子表面；依次形成于所述第一子表面之上的栅氧化层、多晶硅层，所述多晶硅层由第一区域和第二区域组成，所述第一区域至少包括第一子区域，所述第一子区域为位于所述多晶硅层靠近边缘的外围闭合区域；所述元胞单元还包括形成于所述第一区域之上的金属硅化物层、覆盖所述第二区域和所述衬底第二子表面之上的绝缘层、覆盖所述绝缘层和所述金属硅化物层的钝化层、以及覆盖所述钝化层和所述衬底第三子表面的金属化层。
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