[发明专利]一种电子器件的镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种电子器件的镀膜工艺。其中包括清洗与镀膜两个步骤：(1)清洗过程包括除油、水洗、烘干、喷砂除氧化膜、除油、三道水洗、120℃烘干、水洗、150℃烘干、真空容器中线形离子源照射等步骤；(2)镀膜过程，包括抽真空、线形离子源照射、直流溅射纯铝、线形离子源照射、直流溅射铝铜、直流溅射纯铜、直流溅射纯银。采用此方法实现的镀膜，具有膜层和基体结合强度高、导电率好、耐酸碱、生产率和良品率高且制造环保性强等优点。

主权项

一种电子器件的镀膜工艺，采用磁控溅射，包含清洗和镀膜两个步骤其特征在于：清洗工艺，包含以下步骤：(1)除油：水加上10％工业洗涤液，超声波清洗20分钟；(2)水洗(自来水)，漂洗5分钟；(3)烘干；(4)喷砂除氧化膜：干净的石英砂喷射工件表面；(5)除油：水+10％工业洗涤液，超声波清洗20分钟；(6)第一道水洗(自来水)，超声波漂洗2分钟；(7)第二道水洗(纯水)，超声波漂洗2分钟；(8)第三道水洗(纯水)，漂洗2分钟；(9)120℃烘干；(10)水洗(去离子水)，漂洗1分钟；(11)150℃烘干；(12)真空容器中线形离子源照射：气压0.5Pa，离子源电压1500V，偏压600V，时间5分钟。镀膜工艺，包含以下步骤：(1)将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10‑4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa；(2)线形离子源照射，离子源电压1500V，偏压600V，时间5分钟；(3)直流溅射纯铝：直流溅射电压400V，电流15A，偏压600V，时间2分钟；(4)线形离子源照射，离子源电压750V，偏压600V，时间2分钟；(5)直流溅射铝铜合金：电压400V，电流18A，时间3分钟；(6)直流溅射纯铜：电压400V，电流25A，时间24分钟；(7)直流溅射纯银：电压350V，电流20A，时间8分钟；(8)直流溅射铜钼合金：电压300V，电流10A，时间1分钟。