[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310259955.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253082B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底具有插塞区；在所述衬底内形成开口，所述开口包围所述衬底的插塞区；采用保型工艺在所述开口的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层表面的形貌与开口侧壁表面的形貌一致；在形成第一介质层之后，在所述开口顶部形成第二介质层，所述第二介质层将所述开口密闭，并在开口内形成空隙；在形成第二介质层之后，在衬底的插塞区内形成导电插塞，所述导电插塞与第一介质层接触。所述半导体结构尺寸缩小，且能够避免衬底碎裂，防止芯片或器件性能下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有插塞区；在所述衬底内形成开口，所述开口包围所述衬底的插塞区；采用保型工艺在所述开口的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层表面的形貌与开口侧壁表面的形貌一致；在形成第一介质层之后，在所述开口顶部形成第二介质层，所述第二介质层将所述开口密闭，并在开口内形成空隙；在形成第二介质层之后，在衬底的插塞区内形成导电插塞，所述导电插塞与第一介质层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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