[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201310260199.7 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103346210A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 徐卓;杨学良;杨德成;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层，其中，所述铝背场包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场，而所述钝化层位于所述栅状铝背场和主背场的间隙内。本发明提供的太阳能电池的制作方法形成的太阳能电池的铝背场为镂空铝背场，包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场，所述镂空铝背场可以降低铝背场与半导体衬底背表面的接触面积，提高太阳能电池的能量转换效率。此外，所述栅状铝背场和主背场的间隙内形成的钝化层对太阳能电池起到一定的保护作用，改善了太阳能电池的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层，其中，所述铝背场包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场，而所述钝化层位于所述栅状铝背场和主背场的间隙内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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