[发明专利]一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法在审
| 申请号： | 201310260512.7 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103311801A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 薄报学;周路;王云华;许留洋;高欣;乔忠良 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中，采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态，随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层，形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 薄膜 钝化 半导体激光器 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，该方法包括在磁控溅射系统内采用氩、氢混合等离子体分别对激光器前后腔面进行清洗，清洗后原位溅射ZnO钝化薄层，最后按常规工艺镀制前腔面增透膜和后腔面高反膜。
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