[发明专利]汞离子的光电化学测定

摘要

本发明提供汞离子的光电化学测定。水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子点可以修饰到ITO电极表面，在一定缓冲条件和一定浓度电子供体的存在下，光照后可以产生光电流但电流值较小，然后当加入Hg2+之后，光电流强度升高，从而使Hg2+得到测定。与最常用的通过分光光度法、原子吸收或原子发射光谱法测定汞离子相比，本发明使用的仪器设备比较简单和廉价，并且能够提高汞离子测定的选择性，常见的共存离子Ag+、Cu2+、Pb2+等在较高浓度时也不干扰测定。据我们所知，基于量子点纳米材料的光电化学方法还没有应用于汞离子的测定中。本发明能够对Hg2+实现高灵敏和高选择性测定，线性范围为1.0×10-8mol/L到1.0×10-5mol/L，检测限为4.6×10-9mol/L。

主权项

汞离子的光电化学测定，其特征在于：a、一定量的表面修饰剂与0.02mol/L的水溶性锌盐溶液混合后，用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为中性；然后通入高纯氮气30min后，加入0.1mol/L的Na2S(或者NaHSe)水溶液，继续通N2搅拌，在一定温度下加热反应一定时间，得水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料；b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有NaCl的2％PDDA聚合物的溶液中，几分钟后用去离子水冲洗电极表面；然后再浸入到水溶性ZnX(X代表硫、硒)纳米材料中，几分钟后用去离子水清洗电极表面。以上步骤即完成对ITO电极的修饰。所制得的电极可储存在室温下；c、由一定浓度的电子供体和一定pH的磷酸缓冲溶液组成电解质溶液，以制得的ZnX(X代表硫、硒)修饰的电极作为工作电极，加入待测的Hg2+溶液后，一定电位下，在自制的光电化学仪器上进行光电流的测定。