[发明专利]晶片加工用胶带无效
| 申请号： | 201310260994.6 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103509479A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 冈祥文;横井启时;内山具朗 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带可降低半导体晶片加工时晶片的翘曲、晶片背面的韧窝、晶片表面电极上的余胶及表面污染，可进行晶片薄膜磨削。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 胶带 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带的特征在于：在高弹性基材膜的一侧面具有至少1层以上的低弹性模量层，在该低弹性模量层上具有放射线固化型粘合剂层；该高弹性基材膜的杨氏模量为5.0×108Pa～1.1×1010Pa；该低弹性模量层在25℃下的储能模量G’(25℃)为2.5×105Pa～4.0×105Pa、在60℃下的储能模量G’(60℃)为0.2×105Pa～1.5×105Pa，二者之比G’(60℃)/G’(25℃)为0.5以下；该低弹性模量层在25℃下的损耗角正切tanδ(25℃)为0.08～0.15，与在60℃下的损耗角正切tanδ(60℃)之比tanδ(60℃)/tanδ(25℃)为4.0以上；且该放射线固化型粘合剂层的厚度为5μm～100μm，该低弹性模量层与该放射线固化型粘合剂层的厚度之比、即放射线固化型粘合剂层厚度/低弹性模量层厚度为1/2以下。
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