[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201310261120.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN103346211A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制作方法,此种背接触太阳能电池的制作方法提供了包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区的第一模具载片舟和包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区的第二模具载片舟,且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应,所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应;然后通过上述模具载片舟在单晶硅衬底形成有钝化层的表面形成掺杂类型相反,呈交叉排列的第一掺杂非晶硅指区和第二掺杂非晶硅指区。此种制作方法以非常简单低成本的方式实现了背接触太阳能电池背场的叉指状结构,而且无需进行额外的形成钝化层的制作工艺,简化了背接触太阳能电池的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种背接触太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:提供一单晶硅衬底、第一模具载片舟和第二模具载片舟,其中,所述第一模具载片舟包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区,所述第二模具载片舟包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区,且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应,所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应;在所述单晶硅衬底的一个表面形成钝化层;采用第一模具载片舟,在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区和位于所述第一掺杂非晶硅指区表面的第一导电薄膜;采用第二模具载片舟,在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区和位于所述第二掺杂非晶硅指区表面的第二导电薄膜,所述第二掺杂非晶硅指区的掺杂类型与所述第一掺杂非晶硅指区的掺杂类型相反,且所述第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜与所述第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜交叉排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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