[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310261120.2 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN103346211A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 申请(专利权)人: 英利集团有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 071051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种背接触太阳能电池及其制作方法,此种背接触太阳能电池的制作方法提供了包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区的第一模具载片舟和包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区的第二模具载片舟,且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应,所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应;然后通过上述模具载片舟在单晶硅衬底形成有钝化层的表面形成掺杂类型相反,呈交叉排列的第一掺杂非晶硅指区和第二掺杂非晶硅指区。此种制作方法以非常简单低成本的方式实现了背接触太阳能电池背场的叉指状结构,而且无需进行额外的形成钝化层的制作工艺,简化了背接触太阳能电池的制作方法。
搜索关键词: 一种 接触 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种背接触太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:提供一单晶硅衬底、第一模具载片舟和第二模具载片舟,其中,所述第一模具载片舟包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区,所述第二模具载片舟包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区,且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应,所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应;在所述单晶硅衬底的一个表面形成钝化层;采用第一模具载片舟,在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区和位于所述第一掺杂非晶硅指区表面的第一导电薄膜;采用第二模具载片舟,在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区和位于所述第二掺杂非晶硅指区表面的第二导电薄膜,所述第二掺杂非晶硅指区的掺杂类型与所述第一掺杂非晶硅指区的掺杂类型相反,且所述第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜与所述第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜交叉排列。
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