[发明专利]非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310261253.X | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104241124A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄璇;邓小社;王根毅;王万礼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上采用挖槽填充的方式形成P+发射区；在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；在所述N型衬底背面形成金属电极。上述方法采用挖槽填充与外延方式结合制备NPT RC IGBT，与常规的硅片工艺兼容，不需要较高的薄片流通工艺要求，也不需要专用的双面曝光机。 | ||
| 搜索关键词： | 非穿通型反 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上采用挖槽填充的方式形成P+发射区；在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；在所述N型衬底背面形成金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
