[发明专利]化学气相沉积设备保养后复机方法在审
| 申请号： | 201310261364.0 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104250727A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 沈建飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种化学气相沉积设备保养后复机方法，包括：将虚拟晶圆放入所述化学气相沉积设备的反应腔中；对所述虚拟晶圆淀积一硅层；对所述虚拟晶圆淀积一锗化硅层。采用本发明的化学气相沉积设备保养后复机方法，在进行正常的工艺沉积时，即在所述化学气相沉积设备中放入产品晶圆，在所述产品晶圆上淀积锗薄膜或锗化硅薄膜时，可以降低所述化学气相沉积设备中剥落缺陷的发生，使得化学气相沉积设备中的微粒处于可控范围。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 保养 复机 方法 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积设备保养后复机方法，包括：步骤一：将虚拟晶圆放入所述化学气相沉积设备的反应腔中；步骤二：对所述虚拟晶圆淀积一硅层；步骤三：对所述虚拟晶圆淀积一锗化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310261364.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
