[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310261394.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253034B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤一提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构；步骤二对所述半导体衬底进行电解抛光；以及步骤三对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨。采用本发明的半导体器件的制造方法，可以有效减少因为凹陷而导致的不良，从而提高良率，并且能够有效降低步骤三中化学机械研磨的负担，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构，所述硅通孔结构内形成有填充材料层；步骤二：对所述半导体衬底进行电解抛光；以及步骤三：对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨；在所述步骤一和步骤二之间，还包括：扫描所述填充材料层的形貌以及原始厚度；以及根据所述填充材料层的形貌、原始厚度以及目标厚度，计算电解终点以及电解抛光条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
