[发明专利]一种GaN基LED外延片的制备方法在审
申请号: | 201310262473.4 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104253179A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 陈振 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种GaN基LED外延片的制备方法,该方法包括:在蓝宝石平面衬底上生长一层u-GaN层材料;在所述u-GaN层材料上依次生长InGaAlN多层结构,其中所述InGaAlN多层结构包括n型GaN层,p型GaN层以及位于n型层和p型层之间的多量子阱发光层。其中采用湿法粗化法对所述u-GaN层或n型GaN层进行粗化,达到提高光提取效率的目的,并且降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 gan led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种GaN基LED外延片的制备方法,包括:在蓝宝石平面衬底上生长一层u‑GaN层材料;在所述u‑GaN层材料上依次生长InGaAlN多层结构,其中所述InGaAlN多层结构包括n型GaN层,p型GaN层以及位于n型层和p型层之间的多量子阱发光层;其特征在于采用湿法粗化法对所述u‑GaN层或n型GaN层进行粗化。
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