[发明专利]胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310263748.6 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103515276B 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/58;C09J7/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 王海川,穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。一种胶粘薄膜,用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上,其中,具有比所述第一半导体元件的厚度T1更厚的厚度T,所述被粘物与所述第一半导体元件被丝焊连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为40μm以上且260μm以下,或者所述被粘物与所述第一半导体元件被倒装连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为10μm以上且200μm以下。
搜索关键词: 胶粘 薄膜 半导体 装置 制造 方法 以及
【主权项】:
一种胶粘薄膜,用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上,其中,所述胶粘薄膜含有环氧树脂和酚醛树脂,所述胶粘薄膜具有比所述第一半导体元件的厚度T1更厚的厚度T,所述被粘物与所述第一半导体元件被丝焊连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为40μm以上且260μm以下,或者所述被粘物与所述第一半导体元件被倒装连接、并且所述厚度T与所述厚度T1之差为10μm以上且200μm以下。
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