[发明专利]一种去除不利OPC修正的图形预处理方法有效
申请号: | 201310264798.6 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103336406A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 何大权;魏芳;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种去除不利OPC修正的图形预处理方法,包括如下步骤:设定一短斜边尺寸选取标准;对图形片段中存在短斜边的图形进行筛选,选取符合所述短斜边尺寸选取标准的目标图形;将所述目标图形中的短斜边向其所在的目标图形内扩展形成矩形;在所述矩形外扩展形成最小边界框区域,所述最小边界框区域能够覆盖所述目标图形中的短斜边;合并所述目标图形和所述最小边界框区域,以去除所述目标图形中的短斜边。本发明通过扩展短斜边并最终把最小边界框区域和目标图形合并,从而去除不利OPC修正的短斜边图形,去除这些短斜边使之变成正交直角边图形后,OPC修正的结果能更好的符合预期。 | ||
搜索关键词: | 一种 去除 不利 opc 修正 图形 预处理 方法 | ||
【主权项】:
一种去除不利OPC修正的图形预处理方法,其应用于基于模型OPC前处理原始版图之后,以及基于模型OPC修正图形之前,其特征在于,包括如下步骤:设定一短斜边尺寸选取标准;对图形片段中存在短斜边的图形进行筛选,选取符合所述短斜边尺寸选取标准的目标图形;将所述目标图形中的短斜边向其所在的所述目标图形内扩展形成矩形;在所述矩形外扩展形成最小边界框区域,所述最小边界框区域能够覆盖所述目标图形中的短斜边;合并所述目标图形和所述最小边界框区域,以去除所述目标图形中的短斜边。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310264798.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:产生抗体组合物的细胞
- 下一篇:气管插管装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备