[发明专利]一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法无效

专利信息
申请号: 201310267016.4 申请日: 2013-06-29
公开(公告)号: CN103351030A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 吉鸿安;朱来东;高维荣;赵忠孝;许颖生;潘杰 申请(专利权)人: 西北矿冶研究院
主分类号: C01G51/06 分类号: C01G51/06
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 赵立权
地址: 730900 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明提供了一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法,包括如下工艺步骤:(1)分别配制浓度为2.0-3.5mol/L的碳酸氢铵溶液和浓度为1.0-2.0mol/L的钴盐溶液;(2)以碳酸氢铵溶液为反应底液,在搅拌条件下,将钴盐溶液与碳酸氢铵溶液按1:0-1.5的体积比匀速喷淋至碳酸氢铵底液中,控制使反应温度保持在55-65℃,溶液反应终点pH值为7.0-7.5;(3)将反应后溶液过滤,并将过滤所得固体物料用去离子水洗涤3-5次,即得目标产品。本发明产品碱式碳酸钴中阴离子含量较低,煅烧几乎不产生酸气;本发明方法采用标准常规设备,工艺参数易于控制,操作简单,适合规模化生产。
搜索关键词: 一种 阴离子 残留 碳酸 制取 方法
【主权项】:
一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法,其特征在于,包括如下工艺步骤:(1)分别配制浓度为2.0‑3.5 mol/L的碳酸氢铵溶液和浓度为1.0‑2.0mol/L的钴盐溶液;(2)以碳酸氢铵溶液为反应底液,在搅拌条件下,将钴盐溶液与碳酸氢铵溶液按1:0‑1.5的体积比匀速喷淋至碳酸氢铵底液中,控制使反应温度保持在55‑65℃,溶液反应终点pH值为7.0‑7.5;(3)将反应后溶液过滤,并将过滤所得固体物料用去离子水洗涤3‑5次,即得目标产品。
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