[发明专利]晶片与晶片之间的对准方法有效
| 申请号： | 201310269592.2 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104249992A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片与晶片之间的对准方法，步骤包括：1）在第一层晶片上形成薄氧化层；2）在第一层晶片边缘形成对准标记；3）在第一层晶片上进行正常工艺步骤，形成所需集成电路图形；4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；5）在第一层晶片上键合第二层晶片，并使第一层晶片上的对准标记有效露出；6）涂布正光刻胶，去除超出第二层晶片范围的光刻胶，将第二层晶片对准第一层晶片上露出的对准标记。本发明通过将对准标记排布在第一层晶片边缘，然后在两层晶片键合后，通过减小、减薄第二层晶片，将第一层晶片上的对准标记露出来，实现了两层晶片之间的有效对准，不仅简化了晶圆键合后的对准步骤，提高了对准的精度，而且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 之间 对准 方法 | ||
【主权项】：
晶片与晶片之间的对准方法，其特征在于，步骤包括：1）在第一层晶片上形成一层薄的氧化层；2）在第一层晶片边缘形成对准标记；3）在第一层晶片上进行正常的工艺步骤，形成所需的集成电路图形；4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；5）在第一层晶片上键合第二层晶片，并使第一层晶片上的对准标记有效露出；6）涂布正光刻胶，去除超出第二层晶片范围的光刻胶，然后将第二层晶片对准第一层晶片上露出的对准标记。
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