[发明专利]一种增加钨薄膜和硅基片间附着力的方法无效
| 申请号： | 201310270535.6 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103334084A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 朱开贵;蔡亚南 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加钨薄膜与硅基片间附着力的方法。这种方法能够使金属钨薄膜在硅基片上生长厚度达到微米级别且附着力良好，可用于研究第一壁材料的辐照性能。该方法主要包括以下步骤：（1）硅基片的制作。在硅片上用热氧化法氧化一层SiO2或者用等离子体化学气相沉积法沉积一层SiO2，用普通的化学气相沉积法沉积一层小晶粒的多晶硅，或者直接在绝缘衬底上外延生长多晶硅。（2）硅基片的清洗。把制作好的硅基片依次经过乙醇、丙酮、去离子水和高压气流的清洗。（3）用直流磁控溅射的方法制备微米级别厚度的钨薄膜。通过控制相应的实验参数可以制备不同厚度的薄膜且附着力良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 薄膜 硅基片间 附着力 方法 | ||
【主权项】：
一种增加钨薄膜和硅基片间附着力的方法，其特征步骤在于：在硅片上用热氧化法氧化一层SiO2或者用等离子体化学气相沉积法沉积一层SiO2，或者直接选用石英玻璃作为衬底，用普通的化学气相沉积法沉积一层小晶粒的多晶硅，用硅烷或者DCS在晶核层上进行气相外延生长，或者直接在绝缘衬底上进行气相外延生长，然后通过磁控溅射的方法在该基片上镀钨膜。
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