[发明专利]GaN基LED及其生产方法有效
| 申请号： | 201310270809.1 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103346220A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马欢 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了GaN基LED及其生产方法。该GaN基LED包括基底，在基底上顺次生长的GaN层、n型GaN层、n型电子阻挡层、n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN发光量子阱层、p型GaN层、p型AlGaN层、接触层，其中，在p型AlGaN层和接触层之间还生长有特征p型GaN层。该特征p型GaN层包括间隔分布的高空穴浓度的第一亚层和低空穴浓度的第二亚层。根据本发明的GaN基LED通过调整空穴浓度的分布，降低了自补偿效应，从而提高了LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED，包括基底，在所述基底上顺次生长的GaN层、n型GaN层、n型电子阻挡层、n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN发光量子阱层、p型GaN层、p型AlGaN层、接触层，其中，在所述p型AlGaN层和所述接触层之间还生长有特征p型GaN层。
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