[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底中具有源极有源区，所述源极有源区具有第一部分、第二部分以及第三部分；制备隔离结构；在所述衬底中形成第一阱、第二阱以及第三阱，所述第三阱至少位于所述源极有源区的第二部分在第二方向上的边缘位置；在所述第二阱中形成漏区，在所述源极有源区的第一部分内形成源区，在所述第一阱中形成接触区；在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成栅极结构。在本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，能够有效地避免双峰效应，从而提高横向扩散金属氧化物半导体器件的性能。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中具有源极有源区，所述源极有源区具有第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分、第二部分以及第三部分在第一方向上依次排列；制备隔离结构，所述隔离结构用于隔离有源区；分别在所述衬底中形成第一阱、第二阱以及第三阱，所述源极有源区的第一部分和第二部分位于所述第一阱内，所述源极有源区的第三部分位于所述第二阱内，所述第三阱至少位于所述源极有源区的第二部分在第二方向上的边缘位置；在所述第二阱中形成漏区，在所述源极有源区的第一部分内形成源区，在所述第一阱中形成接触区；在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述源极有源区的第二部分和第三部分，并且，所述栅极结构暴露出所述第三阱以及部分所述第一部分；其中，所述衬底、第一阱、第三阱和接触区均为第一导电类型掺杂，所述第二阱、漏区和源区均为第二导电类型掺杂。