[发明专利]抑制谐波效应半导体结构及形成抑制谐波效应结构的方法

摘要

一种可抑制谐波效应的半导体结构及形成可抑制谐波效应的结构的方法。半导体结构包括半导体基板、装置、深沟槽、硅层及介电层。半导体基板包括半导体基板基底、埋入式介电层、表面半导体层及位于表面半导体层内的浅沟隔离层。装置设置于表面半导体层上。深沟槽邻近于装置并延伸通过浅沟隔离层及埋入式介电层而至半导体基板基底中。硅层设置于深沟槽下部中。硅层高度为与半导体基板基底顶表面高度相同或较低。介电层设于深沟槽中的硅层上。本发明形成可抑制谐波效应结构的方法，可于层间介电层形成前或后对半导体基板进行蚀刻，以形成如上述深沟槽，再于深沟槽中形成硅层。可利用硅层吸引住或攫获载流子或电荷，减缓寄生表面电荷，抑制谐波效应。

主权项

1.一种可抑制谐波效应的半导体结构，包括：半导体基板，其包括：半导体基板基底，埋入式介电层，其位于该半导体基板基底上，表面半导体层，其位于该埋入式介电层上，及浅沟隔离层，其位于该表面半导体层内；装置，其设置于该表面半导体层上；深沟槽，其邻近于该装置并且延伸通过该浅沟隔离层及该埋入式介电层至该半导体基板基底中；硅层，其设置于该深沟槽的下部中并直接接触该半导体基板基底，该硅层的一顶表面高度与该半导体基板基底的顶表面高度实质上相同或较低；以及介电层，其设置于该深沟槽中的该硅层上。