[发明专利]衬底间通孔连接结构及其制造方法有效
申请号: | 201310270969.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104253110B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 李广宁;沈哲敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种衬底间通孔连接结构及其制造方法,在TSV结构的介质层和金属通孔之间形成阻挡层,所述阻挡层包括一BCB树脂层,所述BCB树脂层利用BCB树脂材料的粘附性和塑性变形能力这两个特点,释放在TSV结构和工艺过程中的应力,从而消除或减少介质层‑阻挡层‑金属通孔分离的现象,提高产品的可靠性和良率。 | ||
搜索关键词: | 衬底 间通孔 连接 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底间通孔连接结构,包括:第一衬底和第二衬底,形成于所述第一衬底和第二衬底之间的介质层和形成于所述第一衬底、介质层和第二衬底中的通孔,填充于所述通孔中的金属通孔,以及形成于所述金属通孔与所述介质层间的阻挡层,其特征在于,所述阻挡层包括TaN层和BCB树脂层,所述TaN层与所述介质层相邻,所述BCB树脂层与所述金属通孔相邻。
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