[发明专利]CMOS图像传感器结构

摘要

一种CMOS图像传感器结构，包括：衬底、布置在衬底上的氧化硅层、布置在氧化硅层上的第一氮化硅层、布置在第一氮化硅层上的第二氮化硅层、在第二氮化硅层上邻接布置的多个彩色滤光片、和分别布置在各个彩色滤光片上的多个微透镜；在氧化硅层和第一氮化硅层中，在与邻接布置的任意两个彩色滤光片的邻接位置相对应的位置处以及邻接布置的多个彩色滤光片的最外侧彩色滤光片的外边缘处，形成有空隙。当入射光线在目标光电二极管上方的介质层中经过一段距离后，到达介质层与空隙的界面，由于空隙中空气的折射率小于介质层的折射率，使部分光线被反射回氮化硅或二氧化硅层中，增加了界面处入射光的反射率，减少光学串扰现象。

主权项

一种CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：衬底、布置在衬底上的氧化硅层、布置在氧化硅层上的第一氮化硅层、布置在第一氮化硅层上的第二氮化硅层、在第二氮化硅层上邻接布置的多个彩色滤光片、以及分别布置在各个彩色滤光片上的多个微透镜；而且，在氧化硅层和第一氮化硅层中，在与邻接布置的任意两个彩色滤光片的邻接位置相对应的位置处以及邻接布置的多个彩色滤光片的最外侧彩色滤光片的外边缘处，形成有空隙。