[发明专利]强电介质薄膜形成用组合物、强电介质薄膜的形成方法及通过该方法形成的强电介质薄膜有效
| 申请号： | 201310273420.2 | 申请日： | 2009-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103360066A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 藤井顺;樱井英章;野口毅;曾山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/472;C04B35/50;H01G4/12;H01G4/20;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 薄膜 形成 组合 方法 通过 | ||
【主权项】：
一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9
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