[发明专利]包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310273821.8 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531632A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括包含第一导电性类型的第一掺杂剂的掺杂层。在掺杂层中，在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中形成反掺杂区。反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反。第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%且至多100%。反掺杂区中的掺杂剂减少载流子迁移率和少数载流子寿命，使得增加了半导体器件的动态鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 边缘 区域 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：掺杂层，其包含第一导电性类型的第一掺杂剂；以及反掺杂区，其形成在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中的掺杂层中，其中反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反，其中第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%和至多100%。
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