[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310275958.7 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103681599A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 明周铉;黄义晟;朴恩实;金泰润 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：本体线，所述本体线形成为与衬底大体垂直，并且具有凹陷侧壁；掩埋位线，所述掩埋位线掩埋在所述凹陷侧壁中，并且包括金属硅化物；以及阻挡层，所述阻挡层插入在每个掩埋位线与相应的每个本体线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：本体线，所述本体线被形成为与衬底大体垂直，并且具有凹陷侧壁；掩埋位线，所述掩埋位线掩埋在所述凹陷侧壁中；以及阻挡层，所述阻挡层插入在每个掩埋位线与相应的每个本体线之间。
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