[发明专利]一种横向恒流二极管有效
| 申请号： | 201310275984.X | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103400863A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 乔明;许琬;章文通;李燕妃;何逸涛;张昕;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管，通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区，从而调制表面电场，提高击穿电压，同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区，使沟道更易夹断，快速进入恒流区，使得恒流二极管具有较低夹断电压，较深的重掺杂P型区缩短了沟道长度，提高了恒流二极管的恒定电流。本发明的有益效果为，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，同时使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流。本发明尤其适用于横向恒流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 | ||
【主权项】：
一种横向恒流二极管，包括P型衬底（9）、阴极（1）、阳极（11）、第一P型重掺杂区（3）和N型阱区（8），所述第一P型重掺杂区（3）和N型阱区（8）设置在阴极（1）和P型衬底（9）之间并与阴极（1）和P型衬底（9）连接，所述N型阱区（8）包括第一N型重掺杂区（4）、第二P型重掺杂区（5）和第二N型重掺杂区（7），阴极（1）覆盖在第一P型重掺杂区（3）、第一N型重掺杂区（4）和第二P型重掺杂区（5）的顶部和P型衬底（9）的底部，阳极（11）覆盖在第二N型重掺杂区（7）的顶部，且阴极（1）与阳极（11）之间、阴极（1）与第一P型重掺杂区（3）、第一N型重掺杂区（4）和第二P型重掺杂区（5）的接触面均通过氧化层（2）隔开，其特征在于，所述N型阱区（8）还包括P型轻掺杂区（6），所述P型轻掺杂区（6）和第二P型重掺杂区（5）连接构成P型阱区，且P型轻掺杂区（6）设置在第二P型重掺杂区（5）靠近第二N型重掺杂区（7）的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310275984.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光纤模组
- 下一篇：水稻OsNDPK1基因在提高植物抗病性方面的应用
- 同类专利
- 专利分类
