[发明专利]应力控制的HEMT有效
| 申请号： | 201310276434.X | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531624B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | G.库拉托拉;R.斯伊米恩伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及应力控制的HEMT。一种晶体管器件，包括异质结构主体，该异质结构主体具有源极、与源极间隔开的漏极以及源极和漏极之间的二维电荷载流子气体通道。该晶体管器件进一步包括在该异质结构主体上的压电栅极。该压电栅极可操作成通过响应于被施加至该压电栅极的电压而增加或减少施加至异质结构主体的力，来控制该压电栅极下方的通道。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 控制 hemt | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：异质结构主体，其包括源极、与所述源极间隔开的漏极以及所述源极和所述漏极之间的二维电荷载流子气体通道；以及压电栅极，其在所述异质结构主体上，并且可操作成控制所述压电栅极下方的所述通道，使得：（a）在不存在被施加至所述压电栅极的电压的情况下，所述二维电荷载流子气体通道在所述压电栅极下方不间断；以及（b）响应于被施加至所述压电栅极的电压，所述压电栅极生成力，所述力被转移至所述异质结构主体以中断所述压电栅极下方的所述二维电荷载流子气体通道。
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