[发明专利]绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法有效
| 申请号： | 201310277106.1 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103367452A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 季明华;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法，其中所提供的一种绿色晶体管包括：半导体衬底，形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。并将所述绿色晶体管应用于电阻随机存储器，作为存储单元的选通管，提供较大的读、写操作电流，具有较强的驱动能力，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 晶体管 电阻 随机 存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种绿色晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。
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