[发明专利]LDMOS器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310277131.X | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282563A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 孙光宇;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件及其形成方法，LDMOS器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的阱区；位于阱区内的漂移区，漂移区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的深度小于漂移区的深度；位于浅沟槽隔离结构底部的掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；位于半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至阱区上方，栅极结构的另一端延伸至浅沟槽隔离结构的上方；位于栅极结构一侧的阱区内的源区，位于栅极结构另一侧的漂移区内的漏区。保持LDMOS器件击穿电压不变的同时提高驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；在所述阱区内形成凹槽；在所述阱区内形成漂移区，漂移区包围所述凹槽，漂移区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；在所述凹槽的底部形成掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；在凹槽内填充满隔离材料，形成浅沟槽隔离结构，隔离材料覆盖所述掺杂层；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至阱区上方，栅极结构的另一端延伸至浅沟槽隔离结构的上方；在栅极结构一侧的阱区内形成源区，在栅极结构另一侧的漂移区内形成漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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