[发明专利]压力传感器及其形成方法有效
申请号: | 201310277659.7 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN104280161A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 洪中山 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14;G01L9/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种压力传感器及其形成方法,其中,压力传感器包括:具有器件区的衬底,所述衬底表面具有第一介质层;位于器件区的第一介质层表面的第二介质层,所述第二介质层具有台阶状侧壁;位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层,所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区,所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状;位于第一电极层表面的第二电极层,所述第二电极层和第一电极层之间电隔离,且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔,所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。 | ||
搜索关键词: | 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种压力传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底具有器件区,所述衬底表面具有第一介质层;位于器件区的第一介质层表面的第二介质层,所述第二介质层由若干层台阶层堆叠构成,所述第二介质层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面,所述第二介质层的第一表面与第一介质层相接触,自所述第二介质层的第一表面至第二表面,所述若干层台阶层平行于衬底表面方向的尺寸逐层缩小,第二介质层具有台阶状侧壁;位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层,所述第一电极层具有台阶区,所述第一电极层的台阶区位于第二介质层的台阶状侧壁表面,所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层的台阶状侧壁表面形貌相对应,所述第一电极层的台阶区表面呈台阶状;位于第一电极层表面的第二电极层,所述第二电极层和第一电极层之间电隔离,且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔,所述空腔内的第二电极层表面形貌与空腔内的第一电极层表面形貌相互对应,第二电极层与第一电极层台阶区相对的表面呈台阶状;位于第二电极层表面的第三介质层,所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的开口。
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