[发明专利]一种金属层电迁移的测试结构有效

专利信息
申请号: 201310277750.9 申请日: 2013-07-03
公开(公告)号: CN103346143A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 尹彬锋;钱燕妮;于赫薇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01R31/26
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种金属层电迁移的测试结构,包括:两个测试通孔及一个或两个测试引线单元。此测试引线单元由位于连接金属层中的连接线、位于通孔层的额外通孔和位于被测金属层中的额外金属线组成;如果具有一个测试引线单元,则测试金属线的一端通过一个测试通孔及测试引线单元与外置测试仪器相连,另一端口只通过一个测试通孔和一个连接线与外置测试仪器相连;如果具有两个测试引线单元,两个端口分别通过测试通孔及测试引线单元与外置测试仪器相连;通过这个结构,使得连接线的长度足够短以至于没有电迁移在测试结构中产生,从而保证电迁移测试仪器的测试精准度,更准确的监控晶圆质量。
搜索关键词: 一种 金属 迁移 测试 结构
【主权项】:
一种金属层电迁移测试结构,用于检测被测金属层中测试金属线两端的电迁移性能,其特征在于,包括:两个位于通孔层的测试通孔,所述两个测试通孔一端分别与所述被测金属层中金属线的一端相连;两个测试引线单元,其包括位于连接金属层中的连接线、位于通孔层的额外通孔和位于所述被测金属层中的额外金属线,所述连接线、与一个或多个并行连接的额外通孔与额外金属线依次串接在一起;其中,两个所述测试通孔另一端口分别通过所述测试引线单元与外置测试仪器相连。
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