[发明专利]双L型均流耐应力IGBT模块母排端子在审
| 申请号： | 201310278087.4 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103367284A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 常桂钦;彭勇殿;李继鲁;吴煜东 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;周长清 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子，包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排的下方设有两个L型的第一引脚，所述集电极母排的下方设有两个L型的第二引脚，所述两个第一引脚、两个第二引脚在焊接时处于同一条直线上。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作简便、良好的均流特性和耐应力特性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 型均流耐 应力 igbt 模块 端子 | ||
【主权项】：
一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子，包括发射极母排（6）和集电极母排（7），其特征在于，所述发射极母排（6）的下方设有两个L型的第一引脚（601），所述集电极母排（7）的下方设有两个L型的第二引脚（701），所述两个第一引脚（601）、两个第二引脚（701）在焊接时处于同一条直线上。
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