[发明专利]通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射有效
| 申请号： | 201310278368.X | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103528939A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 贝恩德·鲁道夫;彼得·马尔希 | 申请（专利权）人： | 阿特拉斯材料测试技术公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 德国灵森*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射。所述装置包含设置在风化室（1）中的发光二极管（UV-LED）（2）以及紫外线光接收二极管（4），它具有与紫外线发光二极管（2）相同的材料基础，并相对于紫外线发光二极管（2）这样设置，即使在装置运行过程中紫外线发光二极管（2）发射的部分辐射到达紫外线光接收二极管（4）上。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 相同 结构 接收 二极管 识别 紫外线 发光二极管 发射 辐射 | ||
【主权项】：
用于试样的人工风化或耐光性检验的装置，包含风化室（1）；设置在风化室（1）中的紫外线辐射装置（20），它至少包含一个紫外线发光二极管（UV‑LED）（2）；以及紫外线光接收二极管（4），它与紫外线发光二极管（2）具有相同的材料基础，且相对于紫外线发光二极管（2）进行设置，使在装置运行过程中由紫外线发光二极管（2）发射部分辐射到达紫外线光接收二极管（4）上。
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