[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201310279317.9 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103525324A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 大仓雅人 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法，其中，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上至少具有1层放射线固化型粘合剂层，下述的固化收缩值S为0.3～1.8，相对于不锈钢研磨面的放射线照射前的粘合力A为1.5N/25mm～20N/25mm、并且放射线照射后的粘合力B为0.01N/25mm～1.5N/25mm，在所述半导体晶片的半导体晶片表面保护用胶带的贴合面侧的表面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的最大差为10μm～300μm，所述放射线固化型粘合剂层的厚度为1μm～30μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 胶带 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片表面保护用胶带，其是贴合在半导体晶片并在进行背面磨削时所使用的表面保护用胶带，所述半导体晶片表面保护用胶带的特征在于，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上至少具有1层放射线固化型粘合剂层，且下述固化收缩值S为0.3～1.8，放射线照射前的相对于不锈钢的研磨面的粘合力A为1.5N/25mm～20N/25mm、且放射线照射后的粘合力B为0.01N/25mm～1.5N/25mm，在所述半导体晶片的半导体晶片表面保护用胶带的贴合面一侧的表面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的最大差为10μm～300μm，所述放射线固化型粘合剂层的厚度为1μm～30μm，固化收缩值S={(B/A)/(D/C)}上述式中，A表示放射线照射前的相对于不锈钢的研磨面的粘合力，B表示放射线照射后的相对于不锈钢的研磨面的粘合力，C表示放射线照射前的胶带面上的胶粘力，D表示放射线照射后的胶带面上的胶粘力。
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