[发明专利]介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置有效
申请号: | 201310280713.3 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103327722A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 段忆翔;李雪梅 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 吕建平 |
地址: | 610065 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置,其结构包括由绝缘材料制备的气体放电腔室、一对附着在气体放电腔室上下两侧壁上的介质阻挡放电平板电极和两个设置在气体放电腔室左右两端壁上的第一类辉光放电电极,所述气体放电腔室具有工作气体进口和等离子体出口,气体放电腔室内靠近等离子体出口的部分为窄缝结构,等离子体出口为窄缝状,在两个第一类辉光放电电极之间的窄缝结构的腔体处还设有至少一个第二类辉光放电电极,每两个相邻的辉光放电电极之间构成辉光放电电极对。本发明较之现有技术,可以实现在较低的击穿电压和较低的总能量消耗下产生更大体积的等离子体刷,对大面积物体进行快速有效处理。 | ||
搜索关键词: | 介质 阻挡 增强 电极 辉光 放电 低温 等离子体 阵列 发生 装置 | ||
【主权项】:
一种介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置,包括由绝缘材料制备的气体放电腔室、一对附着在气体放电腔室上下两侧壁上的介质阻挡放电平板电极和两个位于介质阻挡放电平板电极下游设置在气体放电腔室左右两端壁上的第一类辉光放电电极,所述气体放电腔室具有工作气体进口和等离子体出口,气体放电腔室内靠近等离子体出口的部分为窄缝结构,等离子体出口为窄缝口,其特征在于:在所述两个位于气体放电腔室左右两端壁上的第一类辉光放电电极之间窄缝结构的腔体处设有至少一个第二类辉光放电电极,每两个相邻的辉光放电电极之间构成辉光放电电极对,形成辉光放电电场。
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