[发明专利]磁场传感器有效
申请号: | 201310280921.3 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103529406B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | M.格罗泽 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | G01R33/06 | 分类号: | G01R33/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种磁场传感器(20)包括:具有至少一个磁场传感器元件的至少一个集成电路(26)、至少一个磁导体(28)和壳体(22),所述集成电路(26)和所述磁导体(28)容纳在所述壳体中。所述磁导体(28)被实现用于,将磁场引导到所述集成电路(26)上。所述磁导体(28)在聚合物材料(12)内具有软磁颗粒(16)。 | ||
搜索关键词: | 磁场 传感器 | ||
【主权项】:
1.磁场传感器(20),包括:具有磁场传感器元件的集成电路(26);磁导体(28);壳体(22),所述集成电路(26)和所述磁导体(28)被容纳在所述壳体中;其中所述磁导体(28)被实现用于,将磁场引导到所述集成电路(26)上;其特征在于,所述磁导体(28)在聚合物材料(12)内具有软磁颗粒(16),其中所述磁导体(28)至少部分地与所述集成电路(26)齐平地被使用,其中所述磁场传感器包括两个具有磁场传感器元件的单独的集成电路(26,26'),其中对于每个集成电路(26,26'),所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、邻近相应集成电路的单独的导体元件(30)。
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