[发明专利]控制高马赫数激波与附面层干扰流动分离的装置有效
| 申请号： | 201310282649.2 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103303469A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李伟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B64C23/06 | 分类号： | B64C23/06 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在高超声速飞行器技术领域的用于控制激波与附面层干扰流动分离的装置，该装置包括：基部分流楔与尾缘微型涡流发生器，其中：后仰楔形结构的基部分流楔设置于激波与附面层干扰区的前端且距离(具体为尾缘到激波入射点的距离)小于等于3个附面层的厚度，尾缘微型涡流发生器设置于基部分流楔尾缘的上表面。本装置能够在飞流楔的侧缘产生脱落涡结构带走干扰区的低能流体，并且尾缘的强湍流度剪切层起到缓冲带作用，该发明可控制激波/附面层干扰导致的流动分离，实现马赫数在4～10的条件下的分离流动控制，具有结构简单、性能稳定等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 马赫数 激波 附面层 干扰 流动 分离 装置 | ||
【主权项】：
一种用于控制高马赫数激波与附面层干扰流动分离的装置，其特征在于，包括：基部分流楔与尾缘微型涡流发生器，其中：后仰楔形结构的基部分流楔设置于激波与附面层干扰区的前端且距离，即后缘到激波入射点的距离，小于等于3个附面层的厚度，尾缘微型涡流发生器设置于基部分流楔的尾缘。
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